Ultratynde film på silicium
Vol. 15 No. 2 (2004), Re-publication
Vol. 15 No. 2 (2004)

Ultratynde film på silicium

Re-publication
https://doi.org/10.7146/kvant.169158
Published 2004-07-01
Sven Tougaard
Fysisk Institut, Syddansk Universitet, Odense
https://orcid.org/0000-0003-0909-8764
Per Morgen
Fysisk Institut, Syddansk Universitet, Odense
https://orcid.org/0000-0001-6994-9597
Forsidebilledet viser skematisk dyrkning af In As på GaAs. Dyrkes mere end et par monolag, samler InAs sig i øer (pyramider) for at minimere den elastiske energi (billedet øverst til venstre). Dyrkes et dæklag GaAs herpå, dannes InAs/GaAs kvantepunkter (billedet øverst til højre). Det nederste billede viser et AFM (Atomic Force Mikroskop) billede af InAs kvantepunkter før dyrkning af dæklag.
PDF (Dansk)

Keywords

Ultratynde Film
Siliciumoverflader
Nanoelektronik

How to Cite

Tougaard, S., & Morgen, P. (2004). Ultratynde film på silicium. KVANT, 15(2). https://doi.org/10.7146/kvant.169158
ACM ACS APA ABNT Chicago Harvard IEEE MLA Turabian Vancouver

Download Citation

Endnote/Zotero/Mendeley (RIS) BibTeX

Abstract

Artiklen analyserer isotermisk oxidation af Si(111) ved lavt tryk. XPS-målinger anvendes til at bestemme oxidlagets tykkelse og koordination. Deal-Grove modellen diskuteres i relation til lavtryksregimet. Overfladefølsom fotoemission muliggør atomar karakterisering. En stringent eksperimentel overfladefysisk analyse.

https://doi.org/10.7146/kvant.169158
PDF (Dansk)

References

[1] www.fys.sdu.dk/surfaces/pdf/uwr.pdf.

[2] www.fys.sdu.dk/surfaces/pdf/Oxidation properties of Al.pdf.

[3] www.fys.sdu.dk/surfaces/pdf/jfa.pdf.

Counting from volume 37 (2026 -), articles published are licensed under Creative Commons Attribution-NonCommercial CC BY-NC 4.0. 

Articles in volume 1-36 (1990 - 2025) are not licensed under Creative Commons. In these volumes, all rights are reserved to the authors of the articles respectively.