Ultratynde film på silicium
Årg. 15 Nr. 2 (2004), Genudgivelse
Årg. 15 Nr. 2 (2004)

Ultratynde film på silicium

Genudgivelse
https://doi.org/10.7146/kvant.169158
Publiceret 01-07-2004
Sven Tougaard
Fysisk Institut, Syddansk Universitet, Odense
https://orcid.org/0000-0003-0909-8764
Per Morgen
Fysisk Institut, Syddansk Universitet, Odense
https://orcid.org/0000-0001-6994-9597
Forsidebilledet viser skematisk dyrkning af In As på GaAs. Dyrkes mere end et par monolag, samler InAs sig i øer (pyramider) for at minimere den elastiske energi (billedet øverst til venstre). Dyrkes et dæklag GaAs herpå, dannes InAs/GaAs kvantepunkter (billedet øverst til højre). Det nederste billede viser et AFM (Atomic Force Mikroskop) billede af InAs kvantepunkter før dyrkning af dæklag.
PDF

Nøgleord

Ultratynde Film
Siliciumoverflader
Nanoelektronik

Citation/Eksport

Tougaard, S., & Morgen, P. (2004). Ultratynde film på silicium. KVANT, 15(2). https://doi.org/10.7146/kvant.169158
ACM ACS APA ABNT Chicago Harvard IEEE MLA Turabian Vancouver

Download citationer

Endnote/Zotero/Mendeley (RIS) BibTeX

Resumé

Artiklen analyserer isotermisk oxidation af Si(111) ved lavt tryk. XPS-målinger anvendes til at bestemme oxidlagets tykkelse og koordination. Deal-Grove modellen diskuteres i relation til lavtryksregimet. Overfladefølsom fotoemission muliggør atomar karakterisering. En stringent eksperimentel overfladefysisk analyse.

https://doi.org/10.7146/kvant.169158
PDF

Referencer

[1] www.fys.sdu.dk/surfaces/pdf/uwr.pdf.

[2] www.fys.sdu.dk/surfaces/pdf/Oxidation properties of Al.pdf.

[3] www.fys.sdu.dk/surfaces/pdf/jfa.pdf.

Fra og med årgang 38 (2027 -) udgives artikler under licensen Creative Commons Kreditering-IkkeKommerciel CC BY-NC 4.0. 

Artikler i årgang 1–37 (1990 - 2026) er ikke udgivet under Creative Commons. Her er alle rettigheder forbeholdt artiklernes respektive forfattere.